摘要：本實用新型提供基于不等式約束的輔助電容集中式單箝位MMC自均壓拓撲。單箝位MMC自均壓拓撲，由單箝位MMC模型和自均壓輔助回路聯合構建。單箝位MMC模型與自均壓輔助回路通過輔助回路中的6N個IGBT模塊發生電氣聯系，IGBT模塊觸發，兩者構成基于不等式約束的輔助電容集中式單箝位MMC自均壓拓撲，IGBT模塊閉鎖，拓撲等效為單箝位MMC拓撲。該單箝位MMC自均壓拓撲，可以箝位直流側故障，同時不依賴于專門的均壓控制，能夠在完成直交流能量轉換的基礎上，自發地實現子模塊電容電壓的均衡，同時能相應降低子模塊觸發頻率和電容容值，實現單箝位MMC的基頻調制。
- 專利類型實用新型
- 申請人華北電力大學;
- 發明人趙成勇;許建中;劉航;
- 地址102206 北京市昌平區回龍觀鎮北農路2號
- 申請號CN201620068891.9
- 申請時間2016年01月25日
- 申請公布號CN205754029U
- 申請公布時間2016年11月30日
- 分類號H02M7/219(2006.01)I;H02M1/00(2007.01)I;H02J3/36(2006.01)I;
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