摘要：本實用新型公開了一種基于隔離型存儲陣列結構的固態存儲器，包括M×N個上電極、N個下電極以及M×N個存儲單元；每個上電極只與一個功能層相連；功能層位于上電極與所述下電極之間；通過外部的控制信號選擇X方向的第i個上電極和Y方向的第j個下電極，使得由第i個上電極、功能層和第j個下電極構成的存儲單元工作；沿著上電極的方向定義為X方向，沿著下電極的方向定義為Y方向。本實用新型中的隔離型crossbar陣列結構通過一定程度降低單元陣列集成度，提高了陣列各存儲單元的讀寫精度。在隔離型crossbar陣列結構中，讀寫操作時，當行選線和列選線確定后，可確保僅有一個存儲單元中有操作電流通過，從而避免了傳統crossbar結構中因存在缺陷單元而出現存儲單元間的混聯串擾問題。
- 專利類型實用新型
- 申請人華中科技大學;
- 發明人程曉敏;胡陽芷;黃婷;關夏威;繆向水;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區珞喻路1037號
- 申請號CN201520510413.4
- 申請時間2015年07月14日
- 申請公布號CN204834059U
- 申請公布時間2015年12月02日
- 分類號G11C16/06(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;
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