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          閃存的存儲塊的標識方法

            摘要:本發明提供一種閃存的存儲塊的標識方法,將存儲塊的標識區分為邏輯地址標識區、數據狀態標識區及讀寫控制區,邏輯地址標識區對應標識數據區的邏輯地址標識,數據狀態標識區分別對應標識數據區的為空、忙、擦除狀態,讀寫控制區對應記錄數據區的存儲、待寫、擦除狀態。當需寫入數據的數據區存儲有數據時,省略了寫入過程中需先等待該數據區進行擦除的操作時間,提高閃存的數據寫入速度。當閃存處于非讀寫數據時,對讀寫控制區為擦除的數據區進行擦除操作,并對擦除后的數據區按損耗均衡算法進行排序,同時更新數據區的邏輯地址標識區,提高閃存操作效率的同時保證了閃存的使用壽命。
          • 專利類型發明專利
          • 申請人北京華旗資訊數碼科技有限公司;北京華旗數碼技術實驗室有限責任公司;
          • 發明人周朝暉;梁煒;
          • 地址100080 北京市海淀區北四環西路58號理想國際大廈11層
          • 申請號CN200610113624.X
          • 申請時間2006年10月10日
          • 申請公布號CN101162608B
          • 申請公布時間2010年12月01日
          • 分類號G11C16/06(2006.01)I;
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