摘要：本發明提供一種閃存的存儲塊的標識方法，將存儲塊的標識區分為邏輯地址標識區、數據狀態標識區及讀寫控制區，邏輯地址標識區對應標識數據區的邏輯地址標識，數據狀態標識區分別對應標識數據區的為空、忙、擦除狀態，讀寫控制區對應記錄數據區的存儲、待寫、擦除狀態。當需寫入數據的數據區存儲有數據時，省略了寫入過程中需先等待該數據區進行擦除的操作時間，提高閃存的數據寫入速度。當閃存處于非讀寫數據時，對讀寫控制區為擦除的數據區進行擦除操作，并對擦除后的數據區按損耗均衡算法進行排序，同時更新數據區的邏輯地址標識區，提高閃存操作效率的同時保證了閃存的使用壽命。
- 專利類型發明專利
- 申請人北京華旗資訊數碼科技有限公司;北京華旗數碼技術實驗室有限責任公司;
- 發明人周朝暉;梁煒;
- 地址100080 北京市海淀區北四環西路58號理想國際大廈11層
- 申請號CN200610113624.X
- 申請時間2006年10月10日
- 申請公布號CN101162608B
- 申請公布時間2010年12月01日
- 分類號G11C16/06(2006.01)I;
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