摘要：本發明公開了一種低溫燒結高熱導率的氮化鋁陶瓷，包括氮化鋁、氧化釔和氟化鑭，氮化鋁的質量百分比為95％～97％，氧化釔的質量百分比為2％，氟化鑭的質量百分比為1％～3％。還公開了制備氮化鋁陶瓷的方法，包括將氮化鋁粉體、氧化釔和氟化鑭混合，經濕法球磨、干燥、造粒、壓制并燒結，制得氮化鋁陶瓷。本發明所提供的氮化鋁陶瓷燒結溫度低至1700℃～1800℃，其熱導率可達到160～200W/(m·K)，介電常數為9～10，介電損耗為0.8×10?3～1.3×10?3，可以滿足半導體器件和集成電路等產業的應用要求。
- 專利類型發明專利
- 申請人華中科技大學;
- 發明人呂文中;丁利文;范桂芬;姜海;史玉升;李晨輝;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區珞喻路1037號
- 申請號CN201610906824.4
- 申請時間2016年10月18日
- 申請公布號CN106542828A
- 申請公布時間2017年03月29日
- 分類號C04B35/581(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;
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