摘要:本發明屬于無機非金屬粉體的制備方法領域,并公開了一種基于碳化鋁制備氮化鋁粉體的方法及其產品,包括:(a)將適量微米鋁粉和微米碳粉均勻混合,置于惰性氣氛中加熱至預定溫度,保溫一段時間,使之反應生成碳化鋁;(b)將碳化鋁在流動的氨氣或氮氣中加熱至預定溫度并保溫一段時間,在高溫環境下碳化鋁與氨氣或氮氣反應,生成氮化鋁。通過本發明,可以在相對較低的溫度下制備出氮化鋁粉體,所制備出的粉體純度高、粒徑小且粒度分布均勻,導熱率高并且具有優良的熱學性能和機械性能,可在集成電路的基片材料等領域大規模應用。
- 專利類型發明專利
- 申請人華中科技大學;
- 發明人胡木林;方智威;謝長生;李晨輝;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區珞喻路1037號
- 申請號CN201610571632.2
- 申請時間2016年07月19日
- 申請公布號CN106187203A
- 申請公布時間2016年12月07日
- 分類號C04B35/581(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I;C04B35/65(2006.01)I;