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          一種納米石墨片導電薄膜及其制備方法

            摘要:本發明公開了一種納米石墨片導電薄膜及其制備方法。納米石墨片導電薄膜是以納米石墨片為填料、成膜物質為基體膜材的一種復合導電薄膜。制備時,首先,將稀釋劑和助劑與成膜物質混合均勻獲得基體膜材漿料,然后用流延成型的方法成膜,加熱干燥以調整基體膜材薄膜的硬度,再采用微粉噴射成型方法將納米石墨片精確嵌入到基體膜材中,加熱固化,獲得納米石墨片導電薄膜。本發明可實現納米石墨片導電薄膜的可控制備,保證了納米石墨片在基體膜材內的分散范圍和效果,避免導電填料分散不均勻問題,所制備的納米石墨片導電薄膜具有強度高、不易破損、形狀任意可控、導電性能穩定等優點,且導電效果得到明顯提高。
          • 專利類型發明專利
          • 申請人三峽大學;華中科技大學;
          • 發明人吳海華;郭輝;熊盼;吳朝;王從軍;
          • 地址443002 湖北省宜昌市大學路8號
          • 申請號CN201510539634.9
          • 申請時間2015年08月28日
          • 申請公布號CN105175985A
          • 申請公布時間2015年12月23日
          • 分類號C08L61/06(2006.01)I;C08L63/00(2006.01)I;C08L75/04(2006.01)I;C08K3/04(2006.01)I;B29D7/01(2006.01)I;
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