摘要：本發明公開了一種留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜，包括絕緣質地的基膜和位于所述基膜上的金屬鍍層，所述金屬鍍層位于所述基膜的一側，所述基膜的另一側設置有留邊，所述留邊的邊緣側為波浪切邊結構；所述金屬鍍層朝向所述留邊的一側為鍍層厚度一致的高阻區，所述金屬鍍層背向所述留邊的一側為鍍層厚度一致的低阻區，所述高阻區的鍍層厚度小于所述低阻區的鍍層厚度，且所述高阻區和所述低阻區之間設置有鍍層厚度漸變的過渡區。本發明所述的留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜，改善了電容器制成品的耐壓性能，高阻區可以適應大電流的沖擊，并增強與噴金層的融接能力，使接觸電阻下降到更低的可控范圍。
- 專利類型發明專利
- 申請人安徽賽福電子有限公司;
- 發明人曹駿驊;吳平;
- 地址244000 安徽省銅陵市獅子山區棲鳳路1771號
- 申請號CN201410800785.0
- 申請時間2014年12月22日
- 申請公布號CN104465094A
- 申請公布時間2015年03月25日
- 分類號H01G4/33(2006.01)I;H01G4/015(2006.01)I;
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