摘要：本發明涉及一種用于半導體激光器p面向下封裝的熱沉，包括基體材料層以及分別生長在基體材料層上下表面的上金屬層和下金屬層，所述上金屬層由絕緣隔離槽分離成各自獨立的第一正極電極、第二正極電極和負極電極，且所述第一正極電極用于給半導體激光器的脊形波導區提供工作時所需的電信號，所述第二正極電極用于給半導體激光器的錐形增益區提供工作時所需的電信號，所述負極電極連接半導體激光器的n面電極。本發明易實現帶p電極分離結構的半導體激光器的p面向下封裝，在使分離的p電極能獨立注入電信號的同時，增強了半導體激光器的散熱能力，延長了半導體激光器的壽命，還使器件易于與系統集成。
- 專利類型發明專利
- 申請人北京牡丹電子集團有限責任公司;
- 發明人李剛;張松;崔碧峰;徐旭紅;趙瑞;計偉;
- 地址100191 北京市海淀區花園路2號
- 申請號CN201410119889.5
- 申請時間2014年03月27日
- 申請公布號CN103887704B
- 申請公布時間2016年06月01日
- 分類號H01S5/024(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I;
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