摘要：本發明公開了一種利用真空降膜蒸發法濃縮氟硅酸的方法。該方法的步驟如下：(1)原料氟硅酸從降膜蒸發器頂部進料，經上層的液體分布器，在降膜蒸發器內成膜狀流下；所述氟硅酸濃度為8~20%；氟硅酸進入降膜蒸發器的流量在300~2000ml/min；同時控制真空度在-0.06~-0.09MPa；(2)降膜蒸發器夾套內通入傳熱介質，對蒸發器內的料液進行加熱；傳熱介質溫度40~80℃，濃縮蒸發時間40~100min；(3)在降膜蒸發器下部的閃蒸室內水蒸汽和濃縮液進行分離，水蒸汽引出降膜蒸發器，進入冷凝器進行冷卻回收，濃縮液由降膜蒸發器底部流出進入儲罐，獲得產品。本發明的方法工藝簡單、能耗低、投資少。
- 專利類型發明專利
- 申請人甕福（集團）有限責任公司;貴州大學;
- 發明人楊三可;朱靜;李天祥;劉松林;劉飛;黃江生;李子艷;
- 地址550002 貴州省貴陽市南明區市南路57號甕福國際大廈23樓
- 申請號CN201410062860.8
- 申請時間2014年02月25日
- 申請公布號CN103848426A
- 申請公布時間2014年06月11日
- 分類號C01B33/10(2006.01)I;B01D1/22(2006.01)I;
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