摘要:本發明提供的一種波導交叉單元及其制作方法,其中,基于SOI的波導交叉單元包括:襯底、下層光波導、上層光波導、中間層及隔離層;下層光波導與上層光波導呈橋式結構相互交叉設置在襯底上;隔離層設置在襯底的中間部位處,中間層分別設置在下層光波導、隔離層的上表面,上層光波導設置在中間層的上表面;下層光波導與上層光波導的折射率相同;中間層的折射率小于下層光波導的折射率;隔離層的折射率小于下層光波導的折射率;襯底的折射率小于下層光波導的折射率;隔離層的折射率小于中間層的折射率;本發明具有低損耗、低串擾的結構特點。
- 專利類型發明專利
- 申請人華中科技大學;
- 發明人劉陳;魏玉明;劉德明;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區珞喻路1037號
- 申請號CN201410048787.9
- 申請時間2014年02月12日
- 申請公布號CN103777273B
- 申請公布時間2016年02月17日
- 分類號G02B6/125(2006.01)I;G02B6/13(2006.01)I;