摘要：本發明公開了一種高導電性氟化石墨烯薄膜的制備方法，包括如下步驟：將石墨烯薄膜放入真空管式爐，并保持真空管式爐溫度為200℃；向所述真空管式爐通入氬氣，氬氣流量為2000sccm；通入1至10sccm預處理的氟化氙蒸汽1至10min；通入氬氣至一個大氣壓，并將真空管式爐降溫至室溫，取出形成的高導電性氟化石墨烯薄膜產品。本發明所述的制備方法，通過將石墨烯薄膜放入真空管式爐并保溫在200℃；向所述真空管式爐通入氬氣作為保護氣氛；然后，通入預處理過的氟化氙蒸汽并保持一定時間，使其與石墨烯薄膜進行反應；通入氬氣至一個大氣壓，并將真空管式爐降溫至室溫，取出形成的高導電性氟化石墨烯薄膜產品。
- 專利類型發明專利
- 申請人廈門烯成新材料科技有限公司;
- 發明人劉長江;連榕;
- 地址361000 福建省廈門市火炬高新區創業園偉業樓南樓S301C室
- 申請號CN201310242702.6
- 申請時間2013年06月19日
- 申請公布號CN103350992A
- 申請公布時間2013年10月16日
- 分類號C01B31/00(2006.01)I;
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