摘要：本發明涉及非晶納米晶合金薄帶制造領域，特別涉及一種具有成分梯度的非晶合金帶材及其制造方法。該非晶合金帶材從表面向內部的0~200nm深度范圍內，成分梯度元素含量逐漸減少；其中，成分梯度元素為[B]、[C]、[N]、[Si]、[P]、[S]中的至少一種。本發明利用可在高溫下分解成活性原子的氣體在熔潭周圍溫下分解出[B]、[C]、[N]、[Si]、[P]、[S]等活性原子，將其滲入到熔體中形成濃度梯度，凝固后形成具有成分梯度的非晶合金帶材。本發明通過控制噴吹氣體的種類和濃度，可以調節帶材成分梯度層的元素種類、深度和元素含量。
- 專利類型發明專利
- 申請人安泰科技股份有限公司;
- 發明人丁力棟;李泉;王建;張志英;王暢;馬躍;
- 地址100081 北京市海淀區學院南路76號
- 申請號CN201210408407.9
- 申請時間2012年10月24日
- 申請公布號CN102909326A
- 申請公布時間2013年02月06日
- 分類號B22D11/06(2006.01)I;B22D11/18(2006.01)I;
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