摘要：本發明涉及激光技術領域，特別涉及一種電光晶體壓電振鈴效應測量裝置及其測量方法，一種電光晶體壓電振鈴效應測量裝置，包括光電探測器A和光電探測器B，在入射光路的中心線上依次設有薄膜偏振片D、1/2波片、法拉第光學旋轉器、薄膜偏振片B、1/4波片、測試裝置和全反鏡，所述測試裝置由高壓驅動電源驅動，所述光電探測器A用于探測薄膜偏振片D上的反射光，所述光電探測器B用于探測薄膜偏振片B上的反射光。本發明在測量電光晶體振鈴效應時，所需的高壓驅動電源提供的電壓降低了一倍，并且本發明可以實現BBO、KD*P等這種高電壓晶體的壓電振鈴效應的測量。
- 專利類型發明專利
- 申請人北京工業大學;北京國科世紀激光技術有限公司;
- 發明人陳檬;楊超;李港;彭志剛;樊仲維;楊軍紅;麻云鳳;
- 地址100022 北京市朝陽區平樂園100號
- 申請號CN201210364597.9
- 申請時間2012年09月26日
- 申請公布號CN102879723B
- 申請公布時間2015年06月10日
- 分類號G02F1/03(2006.01)I;
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