摘要：本發明涉及一種中心頻率可調的超高頻RFID讀寫器中的低噪聲放大器，通過在輸入端采用二階交調電流注入結構以提高線性度；而在輸出端采用開關電容的結構實現中心工作頻率可調。二階交調電流注入結構是通過對MOS管的非線性特性進行分析，然后得出使三階交調電流值為0時的注入電流值；在輸出端，采用MOS管與電容的連接方式組成開關電容對，當MOS管導通時，電容被接入，當MOS截至時，電容斷開，也即通過MOS的導通與斷開實現了在輸出端電容值的改變。根據![]()
可知，當電感值L不變，而電容值C改變時，中心工作頻率也會隨著電容值C的改變而改變，這就實現了低噪聲放大器的中心工作頻率可調。本發明提出的混頻器的工作電壓為1.2V，功耗低，符合低電壓低功耗的要求，簡化電路結構、降低功耗以及擴展中心工作頻率點等方面有很大的指導意義。
- 專利類型發明專利
- 申請人湖南大學;
- 發明人王春華;汪飛;袁超;郭勝強;許靜;張秋晶;何海珍;郭小蓉;易波;
- 地址410082 湖南省長沙市岳麓區湖南大學
- 申請號CN200910227018.4
- 申請時間2009年11月25日
- 申請公布號CN101895261A
- 申請公布時間2010年11月24日
- 分類號H03F3/189(2006.01)I;H03F1/26(2006.01)I;
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