摘要：本發明公開了一種X射線顯微透鏡成像用氮化硅薄膜窗口的制作方法，在一硅晶片襯底的兩面上分別沉積一層低應力氮化硅薄膜，利用一掩膜板將氮化硅窗口圖形轉移至之相應的覆蓋在一氮化硅薄膜上的光刻膠上，并形成光刻膠的被曝光顯影的光刻開口區、及未曝光顯影的非光刻區，通過光刻開口區刻蝕該氮化硅薄膜并暴露硅晶片襯底，在硅晶片襯底上刻蝕出氮化硅窗口圖形溝槽，并在氮化硅窗口圖形溝槽的底部與另一層氮化硅薄膜之間形成一層硅殘留層，最后利用濕法刻蝕移除硅殘留層。本發明使得氮化硅薄膜窗口的損傷減少并更加規則，可以任意調節硅襯底的厚度，縮短成品的制作周期時間，提高了成品率和生產效益。
- 專利類型發明專利
- 申請人上海納騰儀器有限公司;
- 發明人侯克玉;賀周同;
- 地址201616 上海市松江區小昆山鎮秦安街18號A區3號房H座
- 申請號CN201010167751.4
- 申請時間2010年05月06日
- 申請公布號CN101845618A
- 申請公布時間2010年09月29日
- 分類號C23C16/34(2006.01)I;C23F1/02(2006.01)I;C23F1/12(2006.01)I;G21K7/00(2006.01)I;
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