摘要：本發明提供了一種經硼先驅薄膜實現二硼化鎂超導薄膜布圖布線方法及裝置，它在硼先驅薄膜上做PI屏蔽膜，經涂覆PI膜、預固化、勻光刻膠膜、腐蝕PI膜、PI膜固化熱處理及腐蝕硼薄膜的處理后得到圖形轉移到硼薄膜上的樣品，該樣品再和少量的鎂放入密封的鉭坩堝中，在高純氬氣中高溫退火，實現在二硼化鎂超導薄膜上布圖布線的目的。本發明提供的通過硼先驅膜的布圖布線實現二硼化鎂超導薄膜布圖布線的方法，可與微電子制造工藝中的光刻技術完全兼容，不會增加生產設備和成本，該方法實施的工藝原理簡單，容易操作，成本低廉；能夠精確的控制圖形的尺寸，非常適合于工業化大規模生產，對于實現MgB2超導薄膜的實際應用有重大的意義。
- 專利類型發明專利
- 申請人貴州大學;
- 發明人傅興華;楊發順;周章渝;
- 地址550025貴州省貴陽市花溪區
- 申請號CN200810300269.6
- 申請時間2008年01月30日
- 申請公布號CN101226985A
- 申請公布時間2008年07月23日
- 分類號H01L39/24(2006.01);
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