近日，德國ScIDre公司推出的HKZ系列高溫高壓光學浮區法單晶爐在中國科學院物理研究所懷柔園區材料基因組研究平臺順利完成安裝調試。HKZ系列高溫高壓光學浮區法單晶爐能夠提供2200–3000℃甚至更高的生長溫度，晶體生長腔至大壓力可達300 bar，至低可實現10-5 mbar的高真空，適用于生長各種超導材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。
ScIDre單晶爐技術特點：
? 采用垂直式光路設計
? 采用高照度氙燈，多種功率規格可選
? 熔區溫度：至高可達3000℃
? 熔區壓力：10 bar/50 bar/100 bar/150 bar/300 bar等多種規格可選
? 氧氣/氬氣/氮氣/空氣/混合氣等多種氣路可選
? 采用光闌控制技術，加熱功率從零到百分之百連續可調
? 樣品腔可實現至低10-5 mbar真空環境
? 豐富的可升選件
中國科學院物理研究所除了聚焦基礎前沿問題，扎根中關村科研攻關外，還積響應我國科技戰略布局，投入北京科創中心懷柔科學城、粵港澳大灣區科創中心松山湖材料實驗室以及長三角物理研究中心的建設。Quantum Design中國非常榮幸將德國ScIDre公司推出的HKZ高溫高壓光學浮區法單晶爐安裝于該平臺，該系統將為用戶單位在氧化物晶體生長及各種新材料探索等諸領域的科研工作提供相關單晶樣品制備支持！
德國ScIDre公司的HKZ系列高溫高壓光學浮區法單晶爐外觀圖：
系統內部結構實物圖：
參考信息來源：
