近期，日本GES CORPORATION公司（下文簡稱：GES）公司生產的TAC-5100J型四電弧高溫單晶生長爐在天津工業大學順利完成安裝調試。
設備運行現場圖片
攝像頭實時顯示晶體生長狀態
用戶操作單晶爐圖片
四電弧高溫單晶生長爐采用電弧放電的高溫材料合成方法，非常適合生長化學性質活躍但熔點較高（可高達3000℃左右）的金屬間化合物，包括含有稀土元素（或者金屬鈾）的二元及四元金屬間化合物，例如UGe2, UPt3, V3Si, URu2Si2, RE2Co17, CePd2Al3, REFe10Ti2合金單晶以及Nd2Fe14B, URhAl, UNiAl and RENi5等合金單晶。生長的過程中，原料放在旋轉的銅坩堝中，四個電極同時放電形成高溫熔化原料，精密控制的拉晶棒使用Czochralski方法將熔化的原料拉成單晶。
應用領域：
非常適合生長化學性質活躍但熔點較高（可高達3000℃左右）的金屬間化合物，包括含有稀土元素（或者金屬鈾）的二元及四元金屬間化合物。
產品特點：
* 采用四電弧法加熱
* 可實現3000°C高溫
* 適用于金屬間化合物材料
天津工業大學王文洪老師多年來致力于新型磁電子學材料設計與開發、拓撲磁電子學材料與物理、磁存儲與信息器件等磁學相關領域的研究工作。Quantum Design中國非常榮幸將日本GES公司生產的TAC-5100J四電弧高溫單晶生長爐安裝于天津工業大學，該設備將為用戶單位在磁性及其他新材料相關領域的科研工作提供相關單晶樣品制備支持！
相關產品：
1.四電弧高溫單晶生長爐：http://www.dongsenyule.com/product/20160315762.shtml
