近日，國內套新一代高性能激光浮區法單晶爐-LFZ在天津理工大學晶體研究院順利完成安裝調試。該設備（型號：LFZ-2KW）是由Quantum Design Japan公司傳承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先進設計理念研發的，具有功率高、能量分布均勻和性能穩定等諸多技術優勢，將浮區法晶體生長技術推向一個全新的高度！
該設備可廣泛用于凝聚態物理、化學、半導體、光學等多種學科領域相關單晶材料制備，尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點材料及高熱導率材料等常規浮區法單晶爐難以勝任的單晶生長工作。與傳統的激光浮區法單晶生長系統相比，Quantum Design Japan公司推出的新一代高性能激光浮區法單晶爐-LFZ具有以下技術優勢：
? 功率更高（激光功率2KW）
? 采用全新五束激光設計，確保熔區能量分布更加均勻
? 更科學的激光光斑優化方案，可優化晶體生長過程中的溫度梯度，進而改善晶體開裂問題
? 采用了特的實時溫度集成控制系統
天津理工大學功能晶體研究院是在天津理工大學、天津市及全國同行專家群策群力下成立的，旨在響應我國創新驅動發展戰略，落實“雙一 流”建設等重大戰略決策，瞄準科技前沿和我國重大戰略需求，同時服務天津區域經濟發展而設立。Quantum Design中國非常榮幸將新一代高性能激光浮區法單晶爐安裝于該平臺，該系統將為用戶單位在氧化物光學晶體及各種新材料等諸領域提供相關單晶樣品制備支持！
新一代高性能激光浮區法單晶爐-LFZ外觀圖
系統內部結構實物圖
參考信息來源：
https://yjt.tjut.edu.cn/yjyjj.htm
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