| Quantum Design Japan公司推出的高溫光學浮區法單晶爐，采用鍍金雙面鏡、高反射曲面設計，高溫度可達2100℃-2200℃，系統采用冷卻節能設計（不需要額外冷卻系統），穩定的電源輸出保證了燈絲的恒定加熱功率...... 應用領域 可廣泛用于凝聚態物理、化學、半導體、光學等多種學科領域相關單晶材料制備，尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點材料及高熱導率材料等常規浮區法單晶爐難以勝任的單晶生長工作。 |
激光浮區法單晶生長系統可廣泛用于凝聚態物理、化學、半導體、光學等多種學科領域相關單晶材料制備，尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點材料及高熱導率材料等常規浮區法單晶爐難以勝任的單晶生長工作，跟傳統的激光浮區法單晶生長系統相比，Quantum Design公司推出的新一代激光浮區法單晶爐系統具有以下技術優勢：
● 采用全新五束激光設計，確保熔區能量分布更加均勻
● 更加科學的激光光斑優化方案，有助于降低晶體生長過程中的熱應力
● 用了特的實時溫度集成控制系統
RIKEN（CEMS）設計的五束激光發生器原型機實物
新一代激光浮區法單晶爐系統主要技術參數：
| 加熱控制 | 加熱類型 | 5束激光 |
| 激光功率 | 2KW | |
| 熔區溫度 | 2600℃ ~ 3000℃* | |
| 溫度穩定性 | +/-1℃ | |
| 晶體生長控制 | 晶體生長設計長度可達 | 150mm* |
| 晶體生長設計直徑可達 | 8mm* | |
| 晶體生長速度/轉速可達 | 300mm/hr; 100rpm | |
| 樣品腔可施加壓力可達 | 10bar | |
| 樣品腔氣氛 | 多種氣路（O2/Ar/混合氣等）可供選配 | |
| 晶體生長監控 | 高清攝像頭 | |
| 晶體生長控制 | PC控制 |
*具體取決于材料及實驗條件
應用案例
采用新一代激光浮區法單晶爐系統生長出的部分單晶體應用案例：
Ruby | Dy2Ti2O7 | BaTiO3 |
Sr2RuO4 | SmB6 |
Ba2Co2Fe12O22 | Y3Fe5O12 |
* 以上單晶圖片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供
用戶單位
東京大學
日本國立材料研究所
