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          C60單晶場效應管性能提高:PFN+Br-中間層的影響

          教育裝備采購網 2017-10-20 15:12 圍觀633次

            有機場效應晶體管(organic field—effecttransistors)作為新一代電子元器件,自1986年問世以來,引起了學術界和工業界的廣泛關注。與傳統的無機半導體材料相比,有機半導體具有材料來源廣,制備工藝簡單,可與柔性襯底兼容等優點,在眾多領域具有廣泛的應用。有機場效應管性能的調解可以采用兩種不同的手段:一、通過化學修飾來調解分子聚集態結構與界面電荷陷阱;二、提高載流子注入電的效率,通常方法為采用鈣、鎂等低功函數材料或采用復合電,減小接觸電阻。

            Science China Chemistry近發表的一篇文章,報道了一種基于C60單晶的新型有機場效應管。通過PFN+Br-中間層的引入,大大地減小了電與半導體層的接觸電阻,提高了載流子注入的效率。其電子遷移率高達5.60cm2V-S-,閾值電壓能夠低至4.90V,性能遠遠高于沒有PFN+Br-中間層的器件。

            

          圖1. C60帶狀晶體的形貌與晶體結構圖:(a)C60晶體光學成像圖;

            (b)C60晶體的AFM形貌圖;(c)C60晶體的TEM成像圖;(d)C60晶體的SAED圖

            本研究采用美國Delong公司生產的超小型低電壓透射電鏡—LVEM5來表征C60的單晶帶結構(如圖1c所示),其主機采用Schottky場發射電子槍,能夠提供高亮度高相干的電子束,并可直接放置于實驗室的桌面上。

            在輸出曲線中可以看出,IDS與VDS具有良好線性,表現出良好飽和特性。(如圖2所示)。

            

          圖2. 場效應管的性能表征:C60單晶不涂覆(a-c)/涂覆(d-f)共軛聚電;

            (a,d)轉移曲線圖;(b,e)45個器件電荷遷移率柱狀圖;(c,f)輸出曲線圖

            LVEM5加速電壓只有5KV,但可以實現1.5 nm的分辨率,納米結構可以獲得高質量的電鏡照片,且直接保存Tiff格式,無需轉碼。無需液氮,無需專人操作管理,操作維護簡單快捷,是實驗室的理想選擇。

            * 展會快訊:

            Quantum Design中國子公司參加了 10月17-22日 在 成都 舉辦的“2017年全國電鏡年會”,歡迎各位感興趣的老師、同學親臨展臺,參觀指導,我們隨時期待與您相會!

            * 參考文獻:

            Enhanced performance of field-effect transistors based on C60 single crystals with conjugated polyelectrolyte. Sci China Chem. April (2017) Vol.60 No.4.

          點擊進入QUANTUM量子科學儀器貿易(北京)有限公司展臺查看更多 來源:教育裝備采購網 作者:QUANTUM量子科學儀器貿易(北京)有限公司 責任編輯:李瑤瑤 我要投稿
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