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英特爾展示下一代晶體管微縮技術突破,將用于未來制程節點
在IEDM2023上,英特爾展示了結合背面供電和直接背面觸點的3D堆疊CMOS晶體管,這些開創性的技術進展將繼續推進摩爾定律。2023年12月9日,英特爾在IEDM2023(2023IEEE國際電子...
2023-12-11
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737
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[名企]
基教
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臺式ALD,Nat. Mater.!二維晶體管介電層集成研究取得重要進展
臺式三維原子層沉積系統-ALD體積小巧,可放在實驗桌上多片4,6,8英寸樣品同時沉積厚度均勻性高于99%適合復雜/摻雜薄膜沉積二維半導體表面沉積利器......隨著現代半導體行業...
2023-10-19
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4648
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[方案]
高教
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微納光刻好助手!小型臺式無掩膜直寫光刻系統
隨著國內各學科的發展和產業的升級,相關的科研院所和企事業單位對各種微納器件光刻加工的需求日益增多。然而,這些微納器件光刻需求很難被傳統的掩模光刻設備所滿足,主要...
2023-05-29
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5342
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[方案]
高教
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復旦大學包文中課題組又發一篇Nature子刊,小型臺式無掩膜光刻機助力晶圓二維半導體的集成電路工藝取得重要進展!
期刊:NaturecommunicationIF14.92文章DOI:https://doi.org/10.1038/s41467-021-26230-x【引言】石墨烯的發現為人類打開了二維材料的大門,經歷十多年的研究,二維材料表現...
2022-08-04
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1415
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[技術]
高教
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大面積/少層PtS2材料制備與物理特性研究
從1947年晶體管的誕生,到1958年集成電路的出現,微電子技術歷經了半個多世紀的發展,現如今給人類社會發展帶來了極大方便。作為信息產業基礎的半導體材料是微電子、光電子...
2022-04-27
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1999
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[技術]
高教
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基于超寬禁帶氧化鎵半導體的日盲探測器研究分享
尋求更寬的禁帶寬度和更高的材料性能是化合物半導體材料發展的一個重要趨勢。氧化鎵(Ga2O3)半導體具有禁帶寬度大(Eg~4.8eV)、擊穿場強高(Ebr~8MV/cm)、Baliga品質因數...
2022-04-27
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1536
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[技術]
高教
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實現超高探測率和光-暗電流比的增強型β-Ga2O3 MOSFET日盲光電晶體管
由于可以廣泛用于光學成像,空間光通信,導彈制導和定位導航等領域,作為現代光電設備中關鍵組件的光電探測器(PD)近年來已引起越來越多的研究興趣。目前,商用光電探測器...
2022-04-27
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13474
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[技術]
高教
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ACS Nano:原子層沉積技術助力復雜納米結構的合成和調控取得新進展
MoS2(二硫化鉬),由于其優異的帶隙結構(直接帶隙為1.8eV),高表面體積比和的場效應晶體管(FET,fieldeffecttransistor)性能,已成為·具代表性的二維過渡金屬硫族化合物(T...
2022-01-17
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7763
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[原理]
高教
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小型臺式無掩膜光刻機助力開發新型晶體管實現新冠肺炎快速篩選
【引言】在新冠疫情大流行的背景下,從大量人群中快速篩查出受感染個體對于流行病學研究有著十分重要的意義。目前,新冠病毒診斷方法包括血清學和病毒核酸測試,主要是以分...
2021-12-17
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1567
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[技術]
高教
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如何1分鐘完成厘米二維材料的載流子遷移率測量
引言近年來,石墨烯等二維材料與器件領域的研究和開發取得了日新月異的進展。隨著二維材料與器件研究和開發的深入,研究人員越發清楚地認識到,二維材料中載流子的傳輸能力是影...
2021-12-02
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1322
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[應用]
高教
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全國第十二屆有機固體電子過程暨華人有機光電功能材料學術討論會
屆時我司將攜McScience光電檢測儀(M3000)&MSTECH經典型探針臺(4000A)參展本次學術會議,歡迎各新老客戶蒞臨指導.會議時間:8月20日~22日會議地址:長春國際會展中心大...
2021-07-12
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1334
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[動態]
高教
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成果速遞|小型無掩膜光刻直寫系統(MicroWriter)在復旦大學包文中教授課題組的新研究應用
隨著電子信息產業的高速發展,集成電路的需求出現了井噴式的增長。使得掩膜的需求急劇增加,目前制作掩膜的主要技術是電子束直寫,但該制作效率非常低下,并且成本也不容小...
2019-10-15
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1266
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[應用]
高教
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熱掃描探針光刻技術消除肖特基勢壘
二維半導體材料,比如二硫化鉬(MoS2),表現出了諸多新奇的特性,從而使其具有應用于新型電子器件領域的潛力。目前,研究人員常用電子束光刻的方法,在此類僅若干原子層厚...
2019-01-29
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1015
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[應用]
高教
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國際科研團隊首次研制出大分子碳結構有機半導體
教育裝備采購網訊:據中國科學院近日消息,一個國際科研團隊首次研制出了一種含巨大分子的有機半導體材料,其結構穩定,擁有卓越的電學特性,而且成本低廉,可被用于制造現代電子設備中廣泛使用...
2011-09-08
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