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          電子束吸收電流分析系統EBAC-RCI

          電子束吸收電流分析系統EBAC-RCI
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          • 電子束吸收電流分析系統EBAC-RCI
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          EBAC-RCI
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          詳細說明

            尚豐科技向用戶提供專業的的電子束吸收電流分析系統EBAC/RCI

            EBAC-RCI原理EBAC/RCI電子束吸收電流分析系統,能夠方便快速的定位半導體芯片電路中的短路及失效點位置,不但可以對同層電路,而且可以對次表層,甚至表層下第三層、第四層電路進行失效點的定位,因此能夠對半導體芯片電路或相關材料進行快速準確的失效分析。

            目前,集成電路芯片設計越來越復雜,關鍵尺寸和金屬連線線寬越來越小,傳統的失效點定位方法,如微光顯微鏡或光束又到電阻變化鞥,由于其分辨率不足,導致不能精確地定位電路故障點位置,電壓襯度方法雖然在一些開路短路失效分析中能快速地定位失效點,但只是局限于電路同層分析。

            

          EBAC/RCI電子束吸收電流分析系統是基于掃描電鏡的分析系統,在保留掃描電鏡高分辨率的前提下,能夠對同層芯片電路進行高定位,同時能夠對次表層甚至表面下第三、第四層電路進行失效點定位,因此越來越多的應用于先進制程芯片的失效分析。在涉及多層金屬層的失效定位分析時,EBAC/RCI方法更加簡便精確,可保證分析的成功率,并縮短分析周期。


            EBAC/RCI acquisitionThe lowest noise Electron Beam Absorbed Current (EBAC)and Resistive Contrast Imaging (RCI)

            Find exact location of any open,resistive or shorting defect

          • Localize metal line cuts caused by cracking,corrosion, electro-migration, or foreign particles

          • Identify resistive opens caused by interface contamination at via interconnects

          • Pinpoint location for direct TEM lamella FIB preparation 

            Characterize interconnects with highest resolution

          • Reveal electrical integrity of nets with sub-mciron lateral resolution and bridge from EFA to PFA

          • Diagnose fabrication and long term issues, including contamination,metal pattering defects, resistive interconnectors, or electro-migration

          • Directly isolate defects to the exact layer and die location, and improve them to product improvement actions

            Verify device operation modes with built-in biasing for voltage contrast

          • Image bias/voltage contrast in delayered devices

          • Monitor operation of devices under bias

          • Compare imaged behaviour with device design

            Localize defects in thin dielectric layers

          • Visualise and localise weaknesses in gate oxide (GOX) and capacitor oxide (COX) before breakdown

          • Pinpoint oxides shorts caused by ESD or EOS with sub-micron resolution

          • Preserve the original defect signature with power dissipation in the lower nW range during localization

            Access failures invisible in voltage contrast

          • Find low resistances that allow charge tunneling trough the interconnects

          • Investigate structures in contact with the silicon substrate

          • Characterize large metal structures

            尚豐科技致力于引進推廣先進的材料、生物顯微觀測及微區分析儀器,向科研人員提供高附加值服務。我們擁有一支涉及眾多領域高素質的應用支持團隊,為各行業的應用需求提供專業的解決方案和售后服務。


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