摘要：本實用新型提供了一種新型硅鐿量子面等離子體光源。本實用新型采用在硅襯底上形成硅鐿量子面等離子體光源結構，可以在低頻率泵浦光作用下發射較強的高頻率光子，其等離子體發光具有低頻率激發高頻率和球形發光的特征，實現了光泵浦在可見光區的等離子體強發光（外量子效率大于50%）和在1400nm到1600nm光通信波段的發光，其等離子體發光具有低頻率激發高頻率和球形發光的特征。本實用新型不同于半導體LED和LD光源的發光機理，具有全新的發光物理機理與模型，解決了用低頻率泵浦高頻率發光的問題，提供了半導體照明的新光源和硅芯片光互聯的新光源，可以有很好的新型硅鐿等離子體光源應用。
- 專利類型實用新型
- 申請人貴州大學;
- 發明人黃偉其;
- 地址550025 貴州省貴陽市花溪區貴州大學北校區科學技術處
- 申請號CN201520630522.X
- 申請時間2015年08月20日
- 申請公布號CN205231018U
- 申請公布時間2016年05月11日
- 分類號H01J65/04(2006.01)I;H01J9/00(2006.01)I;
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