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          苝n-型半導體和相關器件

            摘要:用吸電子基團進行N-取代和母核取代的單-和二酰亞胺苝和萘化合物,用于制造多種器件結構。
          • 專利類型PCT發明
          • 申請人西北大學;
          • 發明人T·J·馬克斯;M·R·瓦謝萊夫斯基;A·法切蒂;M·J·阿倫斯;B·A·瓊斯;尹明漢;
          • 地址美國伊利諾伊州
          • 申請號CN200580003181.2
          • 申請時間2005年01月26日
          • 申請公布號CN1980791B
          • 申請公布時間2012年08月22日
          • 分類號B32B9/00(2006.01)I;H01J1/62(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01B1/00(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;B05D5/06(2006.01)I;
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