摘要：本發明屬于發光二極管器件制備技術領域，特別涉及一種基于反向結構的半導體量子點發光二極管及其制備方法。本發明半導體量子點發光二極管依次包括層疊的襯底、透明導電金屬氧化物電極層、電子注入層、量子點發光層、空穴注入層和對電極層，其中涉及的電子注入層采用乙酰丙酮鈦膜材料?？刹捎眯康热芤杭庸さ姆椒ㄖ苽潆娮幼⑷雽?，將乙酰丙酮鈦引入反向結構量子點發光二極管器件制備中，實現了電子的有效注入；并且與傳統的正向結構和溶膠凝膠法制備的二氧化鈦、氧化鋅相比，本發明具有發光顏色純、制備工藝簡單，成本低廉，實驗重復性和穩定性好、適合于大規模工業化生產等特點。
- 專利類型發明專利
- 申請人華北電力大學;
- 發明人譚占鰲;孫剛;屠逍鶴;侯旭亮;
- 地址102206 北京市昌平區朱辛莊北農路2號
- 申請號CN201410206672.8
- 申請時間2014年05月15日
- 申請公布號CN103972416A
- 申請公布時間2014年08月06日
- 分類號H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;
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