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          基于雙軸織構金屬基帶的新型復合隔離層及制備方法

            摘要:一種基于雙軸織構金屬基帶的新型復合隔離層及制備方法,采用三層結構,上層為鋯酸鑭(La2Zr2O7)隔離層,中間層為釔穩定氧化鋯(YSZ)隔離層,下層為氧化鈰(CeO2)隔離層。本發明用鋯酸鑭(La2Zr2O7)代替傳統CeO2/YSZ/CeO2和CeO2/YSZ/Y2O3三層復合隔離層結構中的CeO2帽子層,并采用射頻磁控濺射鍍膜技術制備高質量的La2Zr2O7隔離層。該方法具有高的穩定性,重復可靠性及高的沉積速率,其制備得到的La2Zr2O7隔離層致密均勻,與YSZ隔離層結合力強。本發明基于金屬基帶的La2Zr2O7/YSZ/CeO2復合隔離層具有單一的(00/)取向,高的面內和面外織構,表面光潔度好,適合于在其上外延生長高性能的稀土氧化物超導層。
          • 專利類型發明專利
          • 申請人上海超導科技股份有限公司;
          • 發明人徐達;劉林飛;李貽杰;
          • 地址200080 上海市虹口區四川北路1717號23樓
          • 申請號CN201210242021.5
          • 申請時間2012年07月13日
          • 申請公布號CN102774074B
          • 申請公布時間2015年09月09日
          • 分類號B32B15/04(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;
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