摘要：本發明公開了一種可消除硅偏聚的鋁合金真空焊接方法：（1）預熱：將待焊接鋁合金與鋁硅系釬料組裝完畢后零件置于真空釬焊爐內，以8～10℃/S的升溫速度加熱至200～300℃，保溫20-40min，真空度>5×10-2Pa；（2）破膜：以6～9℃/S的升溫速度加熱至530-550℃，保溫20～40min，真空度>5×10-3Pa；（3）焊接：以小于5℃/S的升溫速度加熱至600～620℃，保溫60～90min，真空度>3×10-3Pa；（4）冷卻：焊接好的零件隨爐降溫至520-540℃，取出空冷至室溫。通過控制真空釬焊的工藝參數大幅度減少甚至避免了硅偏聚現象的產生，提高了鋁合金產品焊縫的組織均勻性。
- 專利類型發明專利
- 申請人貴州大學;
- 發明人趙飛;陳召松;梁益龍;張占鈴;
- 地址550003 貴州省貴陽市蔡家關貴州大學科技處
- 申請號CN201110212478.7
- 申請時間2011年07月28日
- 申請公布號CN102248242A
- 申請公布時間2011年11月23日
- 分類號B23K1/008(2006.01)I;
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