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          高溫石英膜氦質譜漏孔

            摘要:本發明公開了一種高溫石英膜氦質譜漏孔的生產方法,先把石英薄膜與硬質玻璃外殼封接成一整體并形成腔體,并在硬質玻璃外殼上保留工藝充氣孔;然后在氣壓小于0.6個大氣壓的低壓環境中,通過工藝充氣孔向腔體內沖入高純氦氣;在所述的低壓狀況下,熔融硬質玻璃外殼上的工藝充氣孔,使低壓氦氣保留在石英薄膜與硬質玻璃外殼之間的腔體內。本發明結構、制造工藝簡單,采用低壓高純度氦氣填充工藝,克服了傳統石英膜氦氣標準漏孔只能在室溫下使用的缺陷,可以在高溫工況下對氦質譜漏率進行標定,本發明專利特別適用于制造高溫工況下使用的石英膜氦質譜漏孔。
          • 專利類型發明專利
          • 申請人安徽皖儀科技股份有限公司;
          • 發明人張晨光;黃文平;張志;
          • 地址230088 安徽省合肥市高新區天達路71號華億科技園B幢皖儀大廈
          • 申請號CN201110056691.3
          • 申請時間2011年03月10日
          • 申請公布號CN102192822B
          • 申請公布時間2012年10月10日
          • 分類號G01M3/02(2006.01)I;G01M3/20(2006.01)I;
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