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          一種改善Bi系高溫超導線材內部界面條件的方法

            摘要:本發明涉及的是一種能夠改善Bi系高溫超導線材內部界面條件的方法,利用線材單芯拔制完成后、多芯拔制完成后,以及初軋后和第一次燒結熱處理前,增加預處理工藝等方法,對殘余線材內部的內應力先行消除,降低內應力對銀-超界面的影響,減少裂紋的產生,提高超導線材性能。利用本發明方法制備的超導帶材,銀-超界面條件得到明顯改善,內裂紋的長度小于5μm,帶材內部Bi-2223相的晶粒取向角差小于10°,帶材(多芯)進行第一次熱處理前內部的殘余應力小于0.5MPa。
          • 專利類型發明專利
          • 申請人北京英納超導技術有限公司;
          • 發明人劉睿;
          • 地址100176北京市北京經濟技術開發區榮昌東街7號隆盛工業園
          • 申請號CN200910085941.9
          • 申請時間2009年06月03日
          • 申請公布號CN101580897A
          • 申請公布時間2009年11月18日
          • 分類號C21D9/52(2006.01)I;C21D1/26(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I;
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