摘要：一種高溫超導覆膜導體及其制備方法，具體涉及一種采用離子束輔助沉積(IBAD)工藝與化學溶液法制膜工藝相結合來制備的高溫超導覆膜導體及其制備方法，屬于高溫超導覆膜導體及其制備領域。覆膜導體沿縱切面由超導保護層、YBCO超導層、CeO2緩沖層、IBAD YSZ緩沖層、金屬基底組成。先在金屬基帶材料上制備出雙軸織構緩沖層和附加緩沖層；再在這些緩沖層材料襯底上制備YBCO超導層和失超保護層，即得到這種高溫超導覆膜導體。本發明結合了IBAD工藝成膜質量好和化學溶液法制備成本低的優點，能夠在合適的柔性金屬襯底上制備出具有均勻超導電流分布的高溫超導覆膜導體。成膜質量好，制備成本低，在工業上有較好的實用前景。
- 專利類型發明專利
- 申請人清華大學;北京英納超導技術有限公司;
- 發明人王三勝;韓征和;劉莉;
- 地址100084北京市海淀區北京100084－82信箱
- 申請號CN200510011756.7
- 申請時間2005年05月20日
- 申請公布號CN100395847C
- 申請公布時間2008年06月18日
- 分類號H01B12/00(2006.01);H01B13/00(2006.01);H01L39/00(2006.01);
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