摘要：本發明公開了一種新型環境半導體光電子材料β－FeSi2薄膜的制備工藝，涉及一種Fe－Si化合物，首先采用磁控濺射方法在Si基片上沉積一層厚度50－150nm的金屬Fe膜，隨后在真空退火爐中880－920℃退火12－18小時獲得Fe－Si化合物中的半導體相β－FeSi2薄膜，由于采用直流磁控濺射方法，使沉積在Si基片上的Fe膜厚度均勻、工藝簡單、成本低，易于制備大面積β－FeSi2薄膜，易于工業化生產，又由于退火時間和溫度能嚴格控制，產品質量穩定，重現性好。
- 專利類型發明專利
- 申請人貴州大學;
- 發明人謝泉;張晉敏;曾武賢;梁艷;肖清泉;
- 地址550025貴州省貴陽市花溪區貴州大學北校區科技處
- 申請號CN200810068861.8
- 申請時間2008年08月12日
- 申請公布號CN101339906A
- 申請公布時間2009年01月07日
- 分類號H01L21/363(2006.01);H01L31/18(2006.01);H01L33/00(2006.01);
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