[報告簡介]
浮區法單晶生長技術通過固-液過程實現單晶生長，由于其晶體生長過程中無坩堝污染、生長狀態便于觀察、可獲得大尺寸優質單晶等諸多優點，目前已被廣泛應用于各種超導材料、磁性材料、鐵電材料、熱電材料、光學晶體等諸多研究領域。尤其近年來德國ScIDre公司新發展的高溫高壓光學浮區法單晶生長系統可實現3000°C高溫及300bar高壓；同時，加利福尼亞大學的Stephen D. Wilson等人近期與ScIDre公司合作搭建了高設計壓力高達1000bar的浮區法單晶生長系統。另外，Quantum Design 日本也已相繼推出了新一代鹵素燈浮區爐和激光浮區爐，前者采用了全新的高效反射鏡設計方案，而后者則采用了特的溫度梯度優化方案及先進的溫控技術；日本GES公司推出的四電弧法單晶爐系統也在高熔點金屬間化合物晶體生長領域發揮著愈來愈大的作用。隨著科學技術的不斷進步和發展，各種端單晶生長條件也不斷刷新記錄，我們相信隨著浮區法和四電弧法單晶生長技術的不斷突破，今后也會有更多的優質單晶材料服務于廣大科技工作者。
本報告將簡述目前市面上常見的幾種浮區法（以加熱源不同可分為：鹵素燈、氙燈、激光等三種類型）和四電弧法晶體生長技術的基本原理，并將重點介紹一些近幾年國內外單晶爐用戶已發表的文獻，文獻中的單晶材料包括：β-Ga2O3、Ca10Cr7O28、 (InNb)0.1Ti0.9O2、Ruby、SmB6、Ba2Co2Fe12O22、Nd2Mo2O7、SrRuO3、La4Ni3O10and Pr4Ni3O10、Li(Mn,Fe)PO4、GdTiO3、Nd2Zr2O7、Li2CuO2、Hf0.86Y0.13Eu0.01O1.93、Ce0.98La0.02Ir3Si2、Mn3Sn等，希望通過這些案例的介紹能對大家今后的工作提供些啟發。
| 鹵素燈浮區爐 | 激光浮區爐 | 氙燈浮區爐 | 四電弧法單晶爐 |
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[主講人介紹]
李正才 博士
李正才博士，博士畢業于中國科學院物理研究所，德國馬克斯?普朗克固體物理研究所博士后，專業為凝聚態物理，科研背景為晶體生長、結構和物性表征等相關領域，2015年加入Quantum Design中國子公司后，擔任高產品經理職務，主要負責各種晶體生長相關產品及X射線殘余應力分析儀的技術與應用工作。
[報告時間]
開始2020年05月14日 14:00
結束2020年05月14日 15:00
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