四電弧高溫單晶生長爐是一種近幾年新發展起來的高溫材料合成設備，非常適合生長化學性質活潑但熔點高（一般在3000℃左右）的金屬間化合物，包括含有稀土元素（或金屬鈾）的二元及四元金屬間化合物，例如UGe2、UPt3、V3Si、URu2Si2、RE2Co17、CePd2Al3、REFe10Ti2、Nd2Fe14B、URhAl、UNiAl和RENi5等合金單晶。
四電弧高溫單晶系統在晶體生長中的過程如下：先將原料放在旋轉的銅坩堝中，之后四個電同時放電形成高溫熔化原料，在精密的提拉系統控制下使用Czochralski方法將熔化的原料拉成單晶。
中國科學院物理研究所材料基因組研究平臺（懷柔科學城）致力于建設成為我國、規模大、手段齊全的先進材料基因組研究平臺，以提升我國在新材料研發與制造領域的研究水平，同時支撐我國物質科學領域基礎研究與應用基礎研究綜合實力的跨越式發展。我們Quantum Design 中國子公司非常榮幸將日本GES公司設計和制造的四電弧高溫單晶生長爐系統于近日安裝于該平臺，該系統將為用戶單位在非常規超導電性、非費米液體行為及非常規量子臨界行為等諸領域的科研工作提供相關單晶樣品制備支持！
四電弧高溫單晶生長爐外觀圖：
四電弧高溫單晶生長爐原理示意圖:
四電弧高溫單晶生長爐晶體生長過程實物圖:
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