近日,復旦大學微電子學院張衛、周鵬教授團隊研發出具有顛覆性的二維半導體準非易失性存儲原型器件,開創了第三類存儲技術,不僅可以實現“內存級”的數據讀寫速度,還可以按需定制存儲器的數據存儲周期,可謂是半導體行業的顛覆性技術。
據介紹,此次研發的新型電荷存儲技術,既滿足了10納秒寫入數據速度,又實現了按需定制(10秒-10年)的可調控數據準非易失特性,寫入速度比目前U盤快10000倍,數據刷新時間是內存技術的156倍。此技術將在極低功耗高速存儲、數據有效期自由度利用等多領域發揮重要作用。
近日,復旦大學微電子學院張衛、周鵬教授團隊研發出具有顛覆性的二維半導體準非易失性存儲原型器件,開創了第三類存儲技術,不僅可以實現“內存級”的數據讀寫速度,還可以按需定制存儲器的數據存儲周期,可謂是半導體行業的顛覆性技術。
據介紹,此次研發的新型電荷存儲技術,既滿足了10納秒寫入數據速度,又實現了按需定制(10秒-10年)的可調控數據準非易失特性,寫入速度比目前U盤快10000倍,數據刷新時間是內存技術的156倍。此技術將在極低功耗高速存儲、數據有效期自由度利用等多領域發揮重要作用。
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