中國臺高溫高壓光學浮區法單晶爐成功安裝于中科院物理所(3000度，100大氣壓)
2013年10月，Quantum Design 在中科院物理所成功安裝調試了中國款高溫高壓光學浮區法單晶爐，并與用戶就高壓實驗進行了討論，此系統是積累和秉承幾十年晶體生長設計的經驗而研發的。
高壓浮區法單晶爐是適用于生長各種超導材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。新浮區法單晶爐中的轉動以及拉伸等控制部分采用了電子控制，與傳統的齒輪變速箱以及離合器相比，這種技術能夠使得用戶在單晶生長過程中獲得更高的控制精度和更高的生長穩定性。同時， 能夠更的控制籽晶和料棒的同步。高壓浮區法單晶爐的拉伸與轉動控制精度擁有技術(慢模式：0.01毫米/小時)，晶體生長腔可抽真空(10-4 torr)，或充入不同氣氛(氧氣，氬氣，等)，高壓浮區法單晶爐可生長任何類型的單晶(氧化物，氟化物，金屬化合物)，利用新的100Bar高壓氣氛裝置，用戶還可以生長多種包含易揮發元素的晶體。
大的亮點在于：
1 樣品溫度可以達到3000攝氏度
2 樣品腔氣壓可達到100大氣壓
3 樣品轉動和提拉精度保持別
(小提拉速度0.01毫米/小時,慢轉動速度+/-0.1轉/分鐘 )
更多關于單晶爐的產品信息，請參見QUANTUM量子科學儀器公司中文網站及英文網站
關于QuantumDesign International
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