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          Vishay發布2014年“Super 12”明星產品

          教育裝備采購網 2014-03-11 10:05 圍觀460次

            賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 3 月11 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發布其2014年“Super 12”明星產品。每年,Vishay都會挑出12款采用全新技術,能夠大幅提高終端產品和系統性能的重要半導體和無源元器件。Vishay的Super 12集中展示了公司在半導體和無源器件的卓越實力,并且讓人能從中了解Vishay的廣泛產品組合。

            2014年的Super 12產品如下:

            Vishay Dale WSLP表面貼裝Power Metal Strip® 電阻—WSLP是用于高性能產品如汽車、計算機、工業和消費應用,采用小尺寸外形,具有10W高功率和低至0.0003Ω的極低阻值,以及0.5%的嚴格阻值容差。

            采用SMPA封裝的Vishay Semiconductors TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器—45V器件在3A電流下的正向壓降低至0.37V,高度為0.95mm,采用SMPA封裝,通過AEC-Q101認證,適合汽車應用,50V整流器適用于智能手機和平板電腦的充電器。

            Vishay Sfernice PRAHT高精度薄膜SMD卷包片式電阻—PRAHT 4電阻網絡適用于高溫鉆井和航空應用,工作溫度從-55℃到+215℃,最高儲存溫度達+230℃,是業內首個采用薄膜技術制造的排阻。

            Vishay Semiconductors TCPT1350X01/TCUT1350X01 SMD透射式光傳感器—通過AEC-Q101認證的單通道TCPT1350X01和雙通道TCUT1350X01適合汽車和工業應用,工作溫度高達+125℃,間隙寬3.0mm,典型輸出電流為1.6mA。

            Vishay Dale IHCL復合耦合電感器—IHCL器件采用IHLP® 技術制造,可在SEPIC DC/DC轉換器中實現高性能。器件在小尺寸10.16mm x 10.67mm封裝里集成了兩個電感器,耦合超過90%,工作溫度高達+155℃。

            Vishay Siliconix SiZ340DT雙通道N溝道30V MOSFET—非對稱雙通道功率MOSFET采用TrenchFET ® Gen IV技術,比采用PowerPAIR 3mm x 3 mm封裝尺寸的前一代器件的導通電阻低57%,功率密度高25%,效率高5%。

            Vishay Roederstein MKP1848C金屬化聚丙烯DC-Link膜電容器—MKP1848C針對DC-link應用,1μF~500μF的容量范圍是業內最寬的,占位只有9mm x 32mm x 19mm,電壓等級為500V~1200V。

            Vishay Siliconix SiP12109 microBUCK®集成同步降壓穩壓器—4A電流的SiP12109在節省空間的3mm x 3mm QFN-16封裝里集成了高邊和低邊功率MOSFET,為設計者提供了面積僅有180mm2的完整高電流解決方案。

            Vishay Vitramon QUAD HIFREQ系列MLCC—QUAD HIFREQ系列MLCC是針對通信、醫療、軍工和工業設備及儀表中的高頻RF應用而設計的,具有超過2000的超高Q值和0.01Ω的超低ESR,采用1111外形尺寸,電壓等級為1500V。

            Vishay Siliconix SiHG47N60E/E系列高壓MOSFET—SiHG47N60E屬于Vishay的E系列600V MOSFET,在10V下的導通電阻為99mΩ,柵極電荷為147nC,可以實現極低的傳導和開關損耗,在高功率、高性能開關應用中能夠節省能源。

            Vishay MCB WCR水冷功率電阻—WCR電阻在60℃進水口溫度下的功率耗散高達2500W,可以承受10秒鐘的5000W高能脈沖,適合用作大型驅動器、HVDC/SVC的緩沖器和直流分壓電阻。

            采用SMPD封裝的Vishay Semiconductors TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器—這些45V~120V器件針對商業應用,在15A下的正向壓降低至0.40V。SMPD封裝的占位兼容D2PAK(TO-263),而1.7mm的典型高度則更低。

          來源:教育裝備采購網 我要投稿
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