賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 3 月11 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發布其2014年“Super 12”明星產品。每年，Vishay都會挑出12款采用全新技術，能夠大幅提高終端產品和系統性能的重要半導體和無源元器件。Vishay的Super 12集中展示了公司在半導體和無源器件的卓越實力，并且讓人能從中了解Vishay的廣泛產品組合。
2014年的Super 12產品如下：
Vishay Dale WSLP表面貼裝Power Metal Strip® 電阻—WSLP是用于高性能產品如汽車、計算機、工業和消費應用，采用小尺寸外形，具有10W高功率和低至0.0003Ω的極低阻值，以及0.5%的嚴格阻值容差。
采用SMPA封裝的Vishay Semiconductors TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器—45V器件在3A電流下的正向壓降低至0.37V，高度為0.95mm，采用SMPA封裝，通過AEC-Q101認證，適合汽車應用，50V整流器適用于智能手機和平板電腦的充電器。
Vishay Sfernice PRAHT高精度薄膜SMD卷包片式電阻—PRAHT 4電阻網絡適用于高溫鉆井和航空應用，工作溫度從-55℃到+215℃，最高儲存溫度達+230℃，是業內首個采用薄膜技術制造的排阻。
Vishay Semiconductors TCPT1350X01/TCUT1350X01 SMD透射式光傳感器—通過AEC-Q101認證的單通道TCPT1350X01和雙通道TCUT1350X01適合汽車和工業應用，工作溫度高達+125℃，間隙寬3.0mm，典型輸出電流為1.6mA。
Vishay Dale IHCL復合耦合電感器—IHCL器件采用IHLP® 技術制造，可在SEPIC DC/DC轉換器中實現高性能。器件在小尺寸10.16mm x 10.67mm封裝里集成了兩個電感器，耦合超過90%，工作溫度高達+155℃。
Vishay Siliconix SiZ340DT雙通道N溝道30V MOSFET—非對稱雙通道功率MOSFET采用TrenchFET ® Gen IV技術，比采用PowerPAIR 3mm x 3 mm封裝尺寸的前一代器件的導通電阻低57%，功率密度高25%，效率高5%。
Vishay Roederstein MKP1848C金屬化聚丙烯DC-Link膜電容器—MKP1848C針對DC-link應用，1μF～500μF的容量范圍是業內最寬的，占位只有9mm x 32mm x 19mm，電壓等級為500V～1200V。
Vishay Siliconix SiP12109 microBUCK®集成同步降壓穩壓器—4A電流的SiP12109在節省空間的3mm x 3mm QFN-16封裝里集成了高邊和低邊功率MOSFET，為設計者提供了面積僅有180mm2的完整高電流解決方案。
Vishay Vitramon QUAD HIFREQ系列MLCC—QUAD HIFREQ系列MLCC是針對通信、醫療、軍工和工業設備及儀表中的高頻RF應用而設計的，具有超過2000的超高Q值和0.01Ω的超低ESR，采用1111外形尺寸，電壓等級為1500V。
Vishay Siliconix SiHG47N60E/E系列高壓MOSFET—SiHG47N60E屬于Vishay的E系列600V MOSFET，在10V下的導通電阻為99mΩ，柵極電荷為147nC，可以實現極低的傳導和開關損耗，在高功率、高性能開關應用中能夠節省能源。
Vishay MCB WCR水冷功率電阻—WCR電阻在60℃進水口溫度下的功率耗散高達2500W，可以承受10秒鐘的5000W高能脈沖，適合用作大型驅動器、HVDC/SVC的緩沖器和直流分壓電阻。
采用SMPD封裝的Vishay Semiconductors TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器—這些45V～120V器件針對商業應用，在15A下的正向壓降低至0.40V。SMPD封裝的占位兼容D2PAK(TO-263)，而1.7mm的典型高度則更低。
