摘要：本實用新型公開了一種高方阻鋁膜，包括基膜、加厚區、漸變方阻區，所述加厚區和所述漸變方阻區均為位于所述基膜上方的金屬蒸鍍層，且所述加厚區位于所述基膜的一側，所述漸變方阻區位于所述基膜的另一側和所述加厚區之間，且所述漸變方阻區的厚度自所述加厚區連接處向所述基膜的另一側逐漸降低。所述加厚區降低了薄膜電容器的噴金層和芯子的接觸電阻，能承受比較大的電流。所述漸變方阻區使其方塊電阻出現從小到大的變化，并與電容器的電流密度分布相適應，提高電容器的耐壓強度。
- 專利類型實用新型
- 申請人安徽賽福電子有限公司;
- 發明人許明建;周峰;
- 地址244000 安徽省銅陵市獅子山區棲鳳路1771號
- 申請號CN201320551115.0
- 申請時間2013年09月06日
- 申請公布號CN203521164U
- 申請公布時間2014年04月02日
- 分類號H01G4/005(2006.01)I;
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