摘要：本發明涉及半導體材料領域，旨在提供一種g?C3N4納米球的制備方法。包括：富氮前驅體經熱處理后，將產物研磨至粉狀顆粒，獲得g?C3N4顆粒；再分散于酸液中，超聲處理后置于黑暗環境中靜置；淡黃色沉淀物過濾后洗滌、干燥，研磨至粉狀顆粒，獲得疏松的g?C3N4顆粒；將其加濃氨水中超聲分散得到分散體系，再轉移至水熱反應釜進行水熱反應；水熱反應后進行冷凍干燥，最終獲得g?C3N4納米球。本發明解決了g?C3N4和其它材料不易復合的問題，制得產品分散性很好，可配成分散液后與其他半導體材料進行復合；制備的g?C3N4納米球具有大比表面積和高量子效率，增加了表面活性位點，降低了g?C3N4光生電子和空穴的復合機率，提高了光催化反應效率。
- 專利類型發明專利
- 申請人浙江大學;
- 發明人申乾宏;王輝;楊輝;尤增宇;秦天;
- 地址310058 浙江省杭州市西湖區余杭塘路866號
- 申請號CN201610856731.5
- 申請時間2016年09月27日
- 申請公布號CN106379874A
- 申請公布時間2017年02月08日
- 分類號C01B21/06(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B01J27/24(2006.01)I;B01J35/08(2006.01)I;
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