摘要：一種高效光電催化產氫電極的制備方法及應用。該方法以三維硅納米柱為基底，利用光輔助?電化學沉積的方法，制備具有核?殼的p?Si/NiCoSex納米柱光陰極。無定型的NiCoSex?展現了優異的電化學催化產氫性能(Tafel值約為39?mV/decade)和良好的透光性。該方法制備的p?Si/NiCoSex納米柱陣列光陰極在很大程度上增強了可見光的吸收和光生載流子的產生和利用。在100mW/cm2的模擬太陽光下，其0?V（vs.RHE）下的光電流密度為?37.5?mA/cm2,是目前報道的以p?Si為基底的光陰極的最高值。該合成方法簡單高效，綠色環保，并可推廣到合成其它過渡金屬硫族化合物，具有廣泛的科學意義。
- 專利類型發明專利
- 申請人浙江大學;
- 發明人張興旺;張紅秀;雷樂成;
- 地址310058 浙江省杭州市西湖區余杭塘路866號
- 申請號CN201610837544.2
- 申請時間2016年09月21日
- 申請公布號CN106319556A
- 申請公布時間2017年01月11日
- 分類號C25B1/04(2006.01)I;C25B11/10(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;
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