摘要：本發明提出了處理銀納米線的方法。該方法包括：在存在保護劑的條件下，使含有所述銀納米線的溶液與鹵化銀溶解劑接觸，以便去除鹵化銀。由此，可以便捷有效地除去銀納米線產品中的雜質顆粒，從而可以提高銀納米線的電學、力學以及光學性能。
- 專利類型發明專利
- 申請人深圳市華科創智技術有限公司;
- 發明人曾西平;邱志光;溫維佳;
- 地址518057 廣東省深圳市南山科技園南區粵興一道9號香港科技大學產學研大樓412
- 申請號CN201610562026.4
- 申請時間2016年07月18日
- 申請公布號CN106238718A
- 申請公布時間2016年12月21日
- 分類號B22F1/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;
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