摘要：本發明公開了一種基于表面等離激元的波長選擇Si基光電導中遠紅外阻擋雜質帶探測器及其制備方法，從下至上依次為高純硅基底、高純硅基底上低電阻率的掩埋底電極、高摻雜吸收層、雜質帶阻擋層，在阻擋層上方沉積的鈍化層，阻擋層上設有上電極互連區和上電極，上電極是由鋁薄膜形成的正方形周期圓孔陣列，鋁薄膜形成正方形周期圓孔陣列是探測器的表面等離激元結構，實現波長選擇功能。上電極使用金屬鋁，鋁的制備工藝簡便成熟，價格便宜易于獲得，抗銹蝕能力強，同時與器件的兼容性能好；采用剝離工藝制備金屬鋁正方形周期圓孔陣列，相比于腐蝕技術，可控性及實際效果更好。
- 專利類型發明專利
- 申請人浙江大學;
- 發明人吳惠楨;朱賀;許金濤;
- 地址310058 浙江省杭州市西湖區余杭塘路866號
- 申請號CN201610436379.X
- 申請時間2016年06月17日
- 申請公布號CN105957917A
- 申請公布時間2016年09月21日
- 分類號H01L31/101(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;
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