摘要：本發明提供了一種控制其表面生長的石墨烯的形核密度的方法，其特征在于，包括如下步驟：配制質量濃度為5-30%的雙氧水；將銅箔浸泡其中，銅箔被雙氧水氧化；然后用該預處理后的銅箔用于CVD生長石墨烯。所述的步驟2）中的浸泡時間為5-60s。相比較于其他控制銅箔表面石墨烯形核密度的方法，本方法簡便易行，只需要預先對銅箔進行雙氧水浸泡就可以有效降低銅箔表面石墨烯的形核密度。同時，本方法也可以與其他控制方法聯合使用，在本方法的基礎上，通過控制混氣比、氣體壓強、銅箔表面粗糙度、生長溫度等，可以進一步降低形核密度，提高石墨烯薄膜的單晶尺寸。
- 專利類型發明專利
- 申請人泰州巨納新能源有限公司;泰州石墨烯研究檢測平臺有限公司;上海巨納科技有限公司;
- 發明人丁榮;梁錚;倪振華;陳玉明;袁文軍;
- 地址225300 江蘇省泰州市鳳凰西路168號5號樓
- 申請號CN201410845545.2
- 申請時間2014年12月31日
- 申請公布號CN104562005A
- 申請公布時間2015年04月29日
- 分類號C23C28/04(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C23C22/05(2006.01)I;
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