摘要：本發明屬于高溫材料領域，特別涉及了一種二硅化鉬基電熱元件及其制備方法。所述電熱元件由下述質量百分含量的各原料制成：成型結合劑3~6%、改性添加劑1~3%，余量為基體材料；所述基體材料為鉬硅質量比為61：39的自蔓延燃燒合成的二硅化鉬粉體，成型結合劑為鈉基膨潤土或鈣基膨潤土，改性添加劑為氧化鋁、氧化鎂、氧化鉛、氧化鋇、三氧化二硼、氟化鈣之中的一種或兩種以上的組合。本發明電熱元件表面膜厚度為15~20μm，密度≥5.6g/cm3，熱端的平均強度不低于300MPa，冷熱端焊口部位平均強度不低于250MPa，循環使用壽命可達50,000次循環以上。
- 專利類型發明專利
- 申請人鄭州嵩山電熱元件有限公司;
- 發明人郜劍英;鄭國軍;
- 地址452483 河南省登封市三里莊高新技術工業園區
- 申請號CN201110051906.2
- 申請時間2011年03月04日
- 申請公布號CN102173814A
- 申請公布時間2011年09月07日
- 分類號C04B35/58(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I;
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