摘要：本發明提供一種立方碳化硅制作硅碳棒冷端部的方法，包括以下步驟：向立方碳化硅中加入粘合劑擠壓成型，然后進行素燒處理，形成素制品；將素制品用掩埋料掩埋，然后在1700～2000℃下進行高溫滲硅和硅化，同時通入保護氣體進行保護，經過1.5～2.5小時后完成素制品的滲硅和硅化處理，即得硅碳棒冷端部成品。本發明采用立方碳化硅制備硅碳棒冷端部的方法能顯著降低冷端部的電阻率，且成品率高，生產成本低，生產時間短，工藝可控性提高，具有較高的經濟效益和社會效益。
- 專利類型發明專利
- 申請人鄭州嵩山電熱元件有限公司;
- 發明人楊學好;鄭國軍;陳玉西;
- 地址455000 河南省登封市三里莊高新技術工業園區
- 申請號CN200810231186.6
- 申請時間2008年12月03日
- 申請公布號CN101747043B
- 申請公布時間2012年06月27日
- 分類號H05B3/14(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;
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