摘要：本發明屬于高新材料制備領域，具體公開一種MoSi2/Mo復合粉體及Mo-Si-B復合材料的制備方法。（1）根據所要求包裹層Mo的厚度，選定合適粒度的待處理粉體MoSi2，其原則為粉體MoSi2的粒度為包裹層Mo厚度的3~5倍，粒度和厚度單位均為微米；（2）真空處理粉體MoSi2：真空度為10-2~10-4Pa，處理溫度為1400~1600℃，處理時間由公式h=Kt1/2確定，其中h--包裹層Mo厚度，單位為微米，K--與材料性質、處理溫度有關的常數，t為處理時間，單位為小時；（3）將處理過的粉體，通過粉末冶金的方法制備Mo-Si-B復合材料。本發明方法可以實現復合材料中第二相含量的控制，避免復合材料中第二相的偏析，可以實現復合材料組織結構的最優化，從而來改善復合材料的綜合性能。
- 專利類型發明專利
- 申請人鄭州嵩山電熱元件有限公司;
- 發明人郜劍英;鄭國軍;
- 地址452483 河南省登封市三里莊高新技術工業園區
- 申請號CN201110051907.7
- 申請時間2011年03月04日
- 申請公布號CN102134659B
- 申請公布時間2012年09月19日
- 分類號C22C1/04(2006.01)I;C22C29/18(2006.01)I;B22F1/02(2006.01)I;
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