摘要：本發明提供一種硅麥克風的制造方法，該方法通過濕法蝕刻從單晶硅基板的離子注入層直接蝕刻出硅麥克風的振動膜。在蝕刻振動膜的過程中，基于電化學的原理，基板中的N(或P)型離子注入層施加一相應的正(或負)電壓，從而使蝕刻停止在離子注入層與基板的界面處。所形成的單晶硅振動膜沒有內應力且機械性能很好。另外，還可以在單晶硅振動膜中形成褶皺形狀，從而提高振動膜的靈敏度。
- 專利類型發明專利
- 申請人無錫海森諾科技有限公司;
- 發明人吳華強;吳廣華;
- 地址214192 江蘇省無錫市錫山區錫山經濟開發區芙蓉中三路99號
- 申請號CN200910162883.5
- 申請時間2009年08月11日
- 申請公布號CN101931852B
- 申請公布時間2012年10月03日
- 分類號H04R31/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;
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