摘要：本發明涉及半導體可飽和吸收鏡及其制備方法及光纖激光器。所述半導體可飽和吸收鏡包括：襯底；制作在所述襯底上的反射鏡及制作在所述反射鏡上的吸收層，所述反射鏡為由多對高低折射率層構成的布拉格反射鏡；所述吸收層包括若干個吸收子層，每一吸收子層同與其晶格匹配的緩沖層交互生長，所述緩沖層為透明半導體層；所述吸收子層的厚度相同。本發明提供的半導體可飽和吸收鏡為高一致性寬帶高調制深度半導體可飽和吸收鏡，通過提高帶寬范圍內調制深度的一致性，增加了使用帶寬，利用半導體可飽和吸收鏡來啟動鎖模從而得到穩定的鎖模脈沖輸出。
- 專利類型發明專利
- 申請人北京大學;北京國科世紀激光技術有限公司;
- 發明人陳玲玲;張夢;張志剛;樊仲維;
- 地址100871 北京市海淀區頤和園路5號
- 申請號CN200910088161.X
- 申請時間2009年07月03日
- 申請公布號CN101635431B
- 申請公布時間2011年11月30日
- 分類號H01S3/098(2006.01)I;H01S3/067(2006.01)I;H01S3/0941(2006.01)I;H01S3/08(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I;H01S3/10(2006.01)I;H01S3/101(2006.01)I;H01S3/063(2006.01)I;
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