磁隨機存儲器（Magnetic random access memory，MRAM）是一種利用讀取磁阻大小為原理的新型非易失性（Non-Volatile）隨機存儲器，與其他存儲技術相比，MRAM在速度、面積、寫入次數和功耗方面能夠達到較好的折中，被業界認為是構建下一代非易失性緩存和主存的潛在存取器件之一。因此，近些年來MRAM引起了不少科研機構和企業的關注，相應的高端測試設備需求也隨之增加，而Hprobe公司生產的IBEX-300晶圓超快三維磁場探針臺為一個不錯的選擇?！ ?/p>
IBEX-300晶圓超快三維磁場探針臺
與傳統的探針臺相比，IBEX-300是專門用于晶圓片在磁場下的表征和測試的儀器。它基于技術的三維磁場發生裝置來進行超快的磁阻測試，整個測試過程全自動完成，可以根據用戶的測試需要來自定義測試程序，為磁性器件（傳感器和存儲器）的開發、工藝和生產帶來了完整的測試解決方案。
主要應用方向：
磁性隧道結
磁隨機存取存儲器
集成磁傳感器(Hall, GMR, TMR)
智能傳感器
主要測試模式：
開路/短路 測試
AC/DC I-V, R-V 測試
AC/DC 擊穿電壓測試
讀/寫脈沖測試
R-H 角度/幅值 回線測試
誤碼率測試
器件循環和穩定性測試
三維磁場發生裝置
超快磁場掃描
三維磁場發生裝置可以實現各磁場空間軸的立驅動，也可以控制磁場在任意空間方向，以及產生旋轉磁場等。磁場的掃描采樣速率可由靜態磁場控制到幅值超過10,000步/秒。
測試程序界面
良率測試結果示意圖
目前Hprobe公司已經向全球多個半導體工廠交付了IBEX-300三維磁場探針臺，同時面向客戶開放部分樣品測試。
