概述
硒化錫是一種非常穩定和簡單的化合物，并且地球表面有豐富的Sn和Se元素。硒化錫作為一個大家比較熟悉的半導體，主要研究方向是在太陽能電池以及箱變記憶合金材料方面?，F今作為熱電能源材料硒化錫應用方面有重大突破性研究成果。
然而硒化錫可形成多種化學計量的硒錫化合物，如SnSe，SnSe2和SnSe3，其中SnSe和SnSe2有廣泛的應用前景。此時就要借助SEM確定產物形貌成分，借此更好的完成制備過程的優化，指導大規模生產。
現在就讓我們用蔡司熱場發射電鏡sigma500來看一看硒化錫的結構。
一、樣品準備和SEM圖像獲取
首先讓我們看一看樣品。此樣品郵寄之前已經分散在鋁箔表面，而鋁箔則固定在一角硬幣之上。所以我們制備樣品只需用碳導電膠把樣品固定好即可。并且因為蔡司場發射電鏡優秀的低電壓成像性能能有效的抑制放電，所以樣品無需噴金。
下面就輪到我們的主角登場了?？纯此蟮臉悠穫}，樣品多大都不成問題?，F在我們只要把樣品放入即可。
最后我們應用蔡司電鏡低電壓成像技術，即使在1kv的條件下，也可得到清晰的SEM圖片。
以下4張圖為前2張為樣品1的SEM圖片，后2張為樣品2的SEM圖片。
二、SEM分析
首先看樣品1，在低倍放大像種，可以看出產物的主要形貌為花瓣狀薄片結構。在較高倍率放大像中可以看出花瓣狀納米片邊緣較規整，葉片厚度不到30nm。此時對其做能譜分析可知Se和Sn所占原子分數之比大致為2：1，說明花瓣狀納米片成分可能是SnSe2。
再看樣品2，在SEM圖像上可以看出產物為多層片狀結構，其產生原因可能為較長的反應時間使花瓣狀結構生長。
后 記
胡克曾在《顯微圖譜》中說過，關于感官，接下來需要關注的是通過工具彌補感官的不足。我們現在所做的就是通過電子掃描顯微鏡了解物質的微觀結構，因為微觀結構決定了物質的性質。對于硒化錫來說，由于具有低熱傳導、儲量豐富、環境友好等特質，是一種頗具潛力的熱電能源材料，但其硬傷在于導電性能較弱。經試驗發現其層狀晶體結構在其層面內具有不錯的導電性能。所以為了更佳的導電性能，在制備的過程中我們需要更長的時間以形成更多的片狀結構。只有這樣我們才能使其有更好的導電性能，使其作為熱電能源材料有更好的應用前景。
下期有什么精彩內容呢?敬請期待吧!
